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NAND NOR FLASH闪存产品概述
阅读量:790 次
发布时间:2023-02-14

本文共 1455 字,大约阅读时间需要 4 分钟。

NAND NOR FLASH闪存产品概述

随着国内对集成电路,特别是存储芯片的重视,前来咨询我们关于NOR Flash,NAND Flash,SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了。以下文章将对常用存储产品进行分类,并对一些产品的特点进行描述。

在正式介绍NAND NOR闪存之前,我们推荐一款易于使用且稳定的Flash产品:CS创世 SD NAND。该产品具备以下特点:

  • 免驱动使用
  • 可机贴设计
  • 尺寸小巧(6×8mm,LGA-8封装)
  • 擦写寿命长
  • 耐高低温冲击
  • 容量适宜(128MB~4GB)

  • NOR Flash

    NOR Flash是目前应用领域最广泛的一种存储芯片。几乎所有主流电子产品都采用该技术,甚至手机摄像头内部和屏幕驱动电路板上也会用到。主要特点包括:

  • 应用领域:用于存储代码和小型数据文件
  • 接口类型:主流为SPI NOR接口
  • 容量范围:1Mbit~128Mbit
  • 封装形式:SOP-8为主,也有更小的封装
  • 架构特点:决定了其容量无法很大,且读取速度较慢
  • 优势:可以直接通过地址访问数据,不需要建立文件系统

  • NAND Flash

    NAND Flash是目前最热门的存储芯片类型之一,几乎覆盖了所有电子产品的存储需求。以下从几个方面对其进行分析。

    3.1 NAND Flash的内部材质

    根据最小存储单元的容量,NAND Flash可以分为以下几类:

  • SLC(单位存储单元大小为2位):存储密度较低
  • MLC(单位存储单元大小为4位):存储密度翻倍
  • TLC(单位存储单元大小为8位):存储密度继续翻倍
  • QLC(单位存储单元大小为16位):存储密度再次翻倍
  • 从SLC到QLC,存储密度逐渐提升,但同时带来了擦写寿命和产品性能的下降。目前消费级电子产品普遍采用TLC或QLC技术。

    3.2 NAND Flash的生产工艺

    NAND Flash的生产工艺主要分为2D和3D两种形式:

  • 2D工艺:传统的“砖瓦房”式结构,存储密度有限
  • 3D工艺:采用“摩天大楼”式结构,存储密度提升数倍
  • 3D工艺的引入使得电子产品的存储容量大幅提升,尤其在手机和笔记本电脑中的应用尤为明显。

    3.3 NAND Flash的使用特点

    NAND Flash在实际应用中需要配备以下管理机制:

  • 位翻转和位偏移:需配备EDC/ECC机制
  • 坏块管理:包括动态和静态坏块检测
  • 读写均衡:确保擦写寿命的均衡使用
  • 垃圾回收:处理集中擦写对周边块的影响
  • CS创世 SD NAND将以上算法集成到产品中,以提升存储性能和可靠性。

    3.4 NAND Flash的产品分类

    根据产品设计,NAND Flash可以分为以下几类:

  • Raw NAND:未带控制器的产品,需在CPU端进行管理
  • 带控制器的产品:分为芯片类(如SD NAND、eMMC、SPI NAND)和模组类(如TF卡、SSD、U盘)
  • 以下是几种常用存储产品的对比:

    产品类型 应用场景 优点
    Raw NAND 嵌入式应用 小体积、高性价比
    SD NAND 嵌入式存储设备 支持多种接口,内置管理算法
    eMMC 嵌入式存储设备 小尺寸,适合小容量需求
    TF卡(SD卡) 外部存储设备 兼容性好,容量大
    SPI NAND 嵌入式存储设备 接口简单,适合嵌入式系统

    总结

    NOR Flash和NAND Flash是现代存储芯片的核心技术,各有适应的应用场景。选择合适的存储产品需根据具体需求进行权衡,CS创世 SD NAND作为一款优质的解决方案,适合多种嵌入式存储需求。

    转载地址:http://ozcfk.baihongyu.com/

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